Behlke高壓晶體管開(kāi)關(guān)HTS 60-200-SCR

Behlke高壓開(kāi)關(guān)、可變導(dǎo)通時(shí)間、低導(dǎo)通電阻、SiC和溝槽FET

Behlke低的導(dǎo)通電阻 碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管或者溝槽場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù) ● 具有真實(shí)繼電器特性的多功能高壓開(kāi)關(guān) ● TTL信號(hào)可控制導(dǎo)通時(shí)間  ● 低動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)損耗 和極低的導(dǎo)通損耗 ● 工業(yè)電源應(yīng)用的選擇 ● 抗過(guò)載和電壓反轉(zhuǎn) ● dv/dt抗高壓瞬變能力

Behlke高壓開(kāi)關(guān)具有低阻抗的MOSFET

具有低阻抗的MOSFET高壓開(kāi)關(guān) ● 非?？斓倪^(guò)渡時(shí)間 ● 非常耐EMC ● 過(guò)載和電壓反轉(zhuǎn)方面的穩(wěn)健性 ● 高開(kāi)關(guān)頻率下的低控制功率● 設(shè)計(jì)用于PCB上的附件 ● 50 ns至250 ns的導(dǎo)通時(shí)間選項(xiàng) 

Behlke高壓開(kāi)關(guān)具有固定導(dǎo)通時(shí)間的通用MOSFET

 特點(diǎn)：適合簡(jiǎn)單脈沖和放電應(yīng)用的高壓開(kāi)關(guān)解決方案；開(kāi)關(guān)狀態(tài)下無(wú)噪音；高頻時(shí)控制功率低；100至300 ns的類(lèi)型依賴(lài)時(shí)間可選擇更改為25 ns至100 μs。

Behlke高壓開(kāi)關(guān)具有電流依賴(lài)導(dǎo)通時(shí)間

特點(diǎn)：

BEHLKE晶閘管開(kāi)關(guān)模塊由大量較小的晶閘管芯片(類(lèi)型取決于達(dá)1000個(gè)單個(gè)晶閘管)組成。

包含有關(guān)電壓、電流和開(kāi)啟行為的編碼信息。前幾個(gè)數(shù)字代表以kV為單位的電壓，破折號(hào)前的最后一個(gè)數(shù)字表示導(dǎo)通行為(0 =固定導(dǎo)通時(shí)間，1 =可變導(dǎo)通時(shí)間)。破折號(hào)后的數(shù)字表示電流，單位為安培x10。特殊功能由第二個(gè)破折號(hào)后的字母編碼。

型號(hào)：HTS 60-100-SCR

HTS =高壓晶閘管開(kāi)關(guān)，6 = 6 kV，0 =取決于固定導(dǎo)通時(shí)間的電流，100 = 1000安培，SCR =硅控整流器(晶閘管)。

Behlke高壓晶體管開(kāi)關(guān)HTS 60-200-SCR